Официальный сайт студ.городка НГТУ
Статьи и новости » [Прогресс] Нанотехнологии в производстве памяти 

#1  23.02.07 11:17

[Прогресс] Нанотехнологии в производстве памяти

Память на нанотрубках

Ученые из Университета Калифорнии (University of California) разработали прототип сверхбыстрой ячейки памяти на основе углеродных нанотрубок.
Устройство получается на удивление простое и переключается механически, но при этом в потенциале способно обеспечить скорость работы до 100 ГГц.
Идея заключается в использовании телескопической многостенной нанотрубки. Внешняя часть трубки закрепляется на металлическом электроде, а внутренняя телескопическая трубка может относительно свободно перемещаться и касаться одного из электродов, расположенных справа и слева от основного. Переключение устройства происходит под воздействием электростатических сил, когда на основной электрод и один из вспомогательных подается напряжение.
В свободном состоянии внутренняя трубка удерживается силами Ван-дер-Ваальса, действующими между внутренней и внешней трубками.
Таким образом, нанотрубочная память может не только очень быстро переключаться, но и к тому же является энергонезависимой, как, например, современная флэш-память.
Разработкой уже заинтересовались такие компании, как Hewlett-Packard, IBM, Lucent, Motorola, Siemens и Hitachi, так что потенциал у нее явно имеется. Разработчики утверждают, что первые прототипы микросхем на основе таких нанотрубочных устройств могут появиться уже в ближайшие три года.


Органическая компьютерная память с золотом

Профессор Вэй Линь Лэун со своими коллегами из сингапурского технологического университета Наньян создал новую органическую систему компьютерной памяти.
Исследователи применили на практике давно известную способность наночастиц золота самостоятельно собираться в определенные структуры.
Предложенная схема устройства памяти довольно сложна. Сверху - золотой электрод, за ним следует слой органического полупроводника пентацена, затем слой наночастиц золота, которые окружены стабилизирующим веществом - цитратом, и лежат в один слой. Ниже находится скрепляющий слой, далее - слои диоксида кремния и кремния, которые завершают этот гамбургер, формируя нижний электрод. Собственно, именно комбинация пентацена и наночастиц золота создает систему, которая способна хранить информацию в виде зарядов на золотых наночастицах. Золотые частицы заманивают в ловушку и хранят положительные заряды ("дырки"). Запись и чтение происходят приложением напряжения, соответственно, одной или другой полярности.

Новый метод, благодаря относительной простоте и дешевизне его изготовления, может пригодиться для создания чипов памяти, которые могут интегрироваться в дешевые пластмассовые электронные схемы. Вообще же эта работа - часть проекта "Полимерная молекулярная электроника и устройства" (PMED), который совместно выполняется сингапурским агентством науки, технологий и исследований (A*STAR) и технологическим университетом Наньян.

http://kv.by

Offline

#2  23.02.07 23:39

Re: [Прогресс] Нанотехнологии в производстве памяти

давно уже пора уходить от дисковой памяти!

Offline

#3  24.02.07 10:31

Re: [Прогресс] Нанотехнологии в производстве памяти

drug_detei написал(а):

давно уже пора уходить от дисковой памяти!

а что за дисковая память?

Offline

#4  24.02.07 14:21

Re: [Прогресс] Нанотехнологии в производстве памяти

это он про винчестеры видимо, но все равно мимо

Offline

#5  24.02.07 18:04

Re: [Прогресс] Нанотехнологии в производстве памяти

все равно мимо

+5

Offline

Статьи и новости » [Прогресс] Нанотехнологии в производстве памяти 

ФутЕр:)

© Hostel Web Group, 2002-2025.   Сообщить об ошибке

Сгенерировано за 0.404 сек.
Выполнено 14 запросов.