Альтернатива флэш-памяти появится уже в этом году
22.08.2007     www.kv.by

Три месяца назад компании Intel и STMicroelectronics объявили об основании совместной фирмы и девяти R&D-центров по всему миру для разработки и производства принципиально нового типа флэш-памяти с изменением фазового состояния (она же - ovonic unified memory, то есть OUM). По мнению экспертов, коммерческий выход первых продуктов может произойти уже в этом году. Более продвинутая технология способна полностью вытеснить с рынка стандартную флэш-память типа NAND.
И вот сейчас на конференции Flash Memory Summit Грег Комото, менеджер по стратегическому планированию производства флэш-памяти Intel, сказал, что компания уже изготовила образцы 90-нанометровой OUM-памяти. Он также заявил, что эта память в будущем придет на смену традиционной памяти NAND. По его словам, ни одна другая технология не способна конкурировать с OUM по цене и другим характеристикам.
Исследования Intel показывают, что технология OUM может быть использована в техпроцессах с нормами до 15 нм. Это открывает большие перспективы для миниатюризации микросхем, а значит - их удешевления и улучшения качественных характеристик.
Микросхемы памяти с изменением фазового состояния изготавливаются из того же материала, что и обычный компакт-диск. В процессе производства после формовки определенные участки материала быстро нагревают до 600°С, отчего эти участки расплавляются, то есть переходят из кристаллического состояния в аморфное.

Исправлено Freeman (22.08.07 20:26)