Американские ученые создали прототип чипа памяти PRAM
12 декабря 2006 года  http://hard.compulenta.ru/298928

Специалисты компаний IBM, Macronix и Qimonda сообщили о разработке прототипа чипа памяти с изменяемым фазовым состоянием PRAM.
Память PRAM (Phase-change Random Access Memory) в перспективе, как ожидается, придет на смену широко распространенной в настоящее время флэш-памяти. Принцип работы микрочипов PRAM основан на свойстве халькогенидных полупроводников находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество носителя представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой - кристаллический проводник. При приложении электрического потенциала происходит переход из одной фазы в другую. Таким образом, достигается переключение между логическими нолем и единицей.
Память PRAM является энергонезависимой и, в отличие от флэш-памяти, не деградирует с течением времени. В корпорации IBM отмечают, что созданный микрочип PRAM обладает примерно в 500 раз более высоким быстродействием по сравнению с флэш-памятью при вдвое меньшем энергопотреблении. В качестве основы материала для памяти с изменяемым фазовым состоянием специалисты IBM, Macronix и Qimonda использовали сплав германия и сурьмы.
В будущем чипы памяти PRAM могут найти применение в портативных плеерах, мобильных телефонах, компьютерном оборудовании и так далее. Правда, первые продукты на основе PRAM, по оценкам аналитиков, появятся на рынке примерно через пять лет.
Кстати, ровно три месяца назад о создании образца модуля памяти PRAM объявила южнокорейская компания Samsung. В Samsung свою разработку позиционируют в качестве альтернативы флэш-памяти типа NOR и обещают начать поставки чипов с изменяемым фазовым состоянием в 2008 году.

Исправлено Bream (12.12.06 18:06)