В MIT разрабатывают новый тип транзисторов
11 декабря 2006 года  http://science.compulenta.ru/298806
Специалисты Массачусетского технологического института (MIT) на этой неделе планируют обнародовать результаты исследований по разработке транзисторов нового типа, которые, как ожидается, позволят улучшить технические характеристики электронных устройств.
По мнению ученых, в течение следующих десяти-пятнадцати лет традиционная технология изготовления транзисторов на основе кремния столкнется с рядом ограничений. В результате, осуществлять дальнейшее увеличение производительности электронных компонентов станет крайне сложно. Американские исследователи из Массачусетского технологического института намерены решить проблему за счет использования новых материалов и методик производства транзисторов. Одним из перспективных направлений считается технология, основанная на применении арсенида индия и галлия (InGaAs).
Как сообщает CNET News со ссылкой на заявления профессора Джезуса Дель Аламо, транзисторы на основе InGaAs обеспечивают в несколько раз более высокую скорость перемещения электронов по сравнению с кремниевыми транзисторами. В лаборатории Массачусетского технологического института уже изготовлены образцы новых транзисторов размером порядка 60 нанометров. Впрочем, массовое производство транзисторов на базе InGaAs может быть затруднено, поскольку соответствующая технология пока полностью не доработана, и процент брака достаточно высок. Тем не менее, ученые считают, что прототипы устройств, построенных с применение транзисторов на основе арсенида индия и галлия, появятся в течение следующих двух лет.
Новые методики изготовления транзисторов разрабатываются и в других научных организациях. Например, специалисты из Чикагского университета и Аргоннской национальной лаборатории предлагают изготавливать транзисторы из алмазов. Алмазные транзисторы могут работать в агрессивных средах и при очень высоких температурах и поэтому могут найти применение в специфических областях, например, в медицине.